- Sections
- H - électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 51/00 - Dispositifs de RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des transistors ferro-électriques de mémoire
Détention brevets de la classe H10B 51/00
Brevets de cette classe: 35
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
17 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
5 |
| Intel Corporation | 45621 |
2 |
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
2 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
2 |
| International Business Machines Corporation | 60644 |
1 |
| Applied Materials, Inc. | 16587 |
1 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 100781 |
1 |
| IMEC VZW | 1410 |
1 |
| National University of Singapore | 2228 |
1 |
| IBM China Company Limited | 1050 |
1 |
| Kepler Computing Inc. | 221 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |